Рис. 3.3.13 — Кристаллические структуры разных элементов имеют разные уровни собственной мерности. И если поместить эти кристаллические структуры на расстоянии, соизмеримом с размерами самих кристаллов, в промежуточном пространстве возникнет перепад мерности (градиент) от уровня кристаллической структуры большей собственной мерности к уровню с меньшей. Этот перепад не столь значительный, чтобы вызвать неустойчивость атомов, образующих эти кристаллические структуры, но, если между ними поместить жидкую среду, насыщенную положительными и отрицательными ионами, перепад между кристаллическими структурами заставит двигаться свободные ионы в разных направлениях.
При этом положительные ионы, имеющие более высокий уровень собственной мерности, под воздействием этого перепада начнут скапливаться на поверхности кристаллической структуры с большим уровнем собственной мерности, в то время, как отрицательные ионы с меньшим уровнем собственной мерности — на поверхности с меньшим уровнем собственной мерности. Избыток положительных ионов на одной поверхности позволяет говорить о положительном заряде, в то время, как избыток отрицательных ионов — об отрицательном заряде поверхностей. Наличие перепада уровней собственной мерности между разными кристаллическими поверхностями вызывает перераспределение ионов, насыщающих промежуточную среду и приводит к появлению, так называемого, постоянного электрического тока между этими поверхностями, если соединить их между собой посредством проводника.
1. Кристаллическая поверхность с меньшим уровнем собственной мерности.
2. Кристаллическая поверхность с большим уровнем собственной мерности.
3. Промежуточная жидкая среда насыщенная ионами.
4. Положительные ионы.
5. Отрицательные ионы.
L1 — уровень мерности кристалла первого элемента.
L2 — уровень мерности кристалла второго элемента.
ΔL — перепад между уровнями собственной мерности двух разных элементов.
